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电子薄膜与集成器件国家重点实验室

发布:2020年06月22日 16:17       作者:      来源:       点击:

一、基本概况

电子薄膜与集成器件国家重点实验室于20067月经科技部批准建设,200810月通过科技部验收并正式开放运行,实验室紧密结合电子信息系统微小型化和单片集成的重大需求,重点围绕电子功能材料的薄膜化和电子器件的集成化开展基础、应用基础与工程应用的研究。现任实验室学术委员会主任为雷清泉院士,实验室主任为李言荣院士。2012年及2017年在科技部组织的国家重点实验室评估中被评为优秀类实验室。

二、实验室人才队伍情况

目前,实验室拥有一支包括中国工程院院士1人等在内的80人研究队伍。研究人员中95%具有博士学位,65%在45岁以下。实验室目前已具备每年330名左右硕士生、80名左右博士生的人才培养规模。

三、实验室研究方向

 根据电子薄膜与集成器件领域中主要涉及的科学问题,以及我国电子信息领域的需求牵引,并结合重点实验室的研究特色,实验室将以下三个方向作为重点研究方向: 磁电薄膜与微型器件。主要解决集成器件中电磁信息的探测和传输。 功率半导体器件及集成技术。主要解决集成系统中信息的处理和执行。 电子聚合物与微结构传感器。主要解决微结构中光电信息的获取和传感。

四、实验室科研条件

实验室依托电子科学与技术国家重点学科(在第四轮全国一级学科评估中,获评A+)。实验室面积16000 m2,拥有仪器设备400余套,价值近1.6亿人民币。已初步建成具有国际水平的材料与器件制造工艺平台微细加工平台电磁性能测试与微结构表征平台集成电路设计平台,具备承担国家重大基础研究项目的能力。

五、实验室科研成果

近五年,实验室承担各类科研项目300余项,总经费达7亿元,科研成果获国家级奖励3项,省部级奖24项,授权中国发明专利1189件(美国专利35件),发表学术论文2000余篇,出版学术专著和教材21部。取得了包括新耐压层与全兼容功率器件高温超导中量子金属态的首次实验证实等一系列标志性成果,其中高温超导中量子金属态的首次实验证实科研成果入选2019年度中国高等学校十大科技进展。实验室坚持面向社会,服务社会,致力于科研成果的推广和应用,高磁导率磁性基板半导体陶瓷电容器功率铁氧体及宽频双性复合材料集成电路系列产品等科研成果的成功转化,取得良好的经济及社会效益。

实验室主页:http://www.etfid.uestc.edu.cn

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