最新资讯   News
搜索   Search

关于许可“一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法”等2项专利专利权的公示

发布:2016-12-28 14:25       作者:管理员      来源:      点击:


学校拟许可 “一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法”(专利号:ZL201310284264.X)等2项中国发明专利的专利权,现将有关事项公示如下:

序号

专利名称

状态

权利人/申请人

项目来源

专利简介

发明人

资金成本(万元)

拟交易价格(万元)

受让单位

许可时限

1

一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路及其制造方法(ZL201310284264.x)

授权

电子科技大学

本发明涉及电子电路及半导体技术,具体的说是涉及一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路。本发明所述的一种基于双向晶闸管的浪涌保护电路,其特征在于,包括双向晶闸管、NPN型三极管和PNP型三极管,所述NPN型三极管的发射极和双向晶闸管的P型门连接、基极引出第一电极,所述PNP型三极管的发射极和双向晶闸管的N型门连接、基极引出第二电极,所述双向晶闸管的一端引出第三电极、另一端与NPN型三极管的集电极和PNP型三极管的集电极均接地。本发明的有益效果为,可以实现对单线路的双向可编程浪涌保护,同时可极大的减小芯片面积,从而降低生产成本。本发明尤其适用于浪涌保护电路。

李泽宏、邹有彪、刘健、顾鸿鸣、宋文龙、任敏、张金平

1.5

4

启东吉莱电子有限公司

2016年11月15日到2019年11月14日

2

一种浪涌保护电路及其制造方法

(ZL201310284263.5)

授权

电子科技大学

本发明涉及电子电路及半导体技术,具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路,由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成,主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断,从而泄放浪涌电流,并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为,具有响应速度快(ns级)、承受电压电流冲击能力强的优点,并能同时实现双线双向浪涌保护,还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。

李泽宏、邹有彪、刘健、宋文龙、宋洵奕、任敏、张金平

1.5

4

公示期为2016年12月28日至2017年1月18日。

在公示期内,如有异议,请以实名、书面形式向电子科技大学技术转移中心反映。

联系人:朱老师

联系电话:028-83200056

                                                                                            科学技术发展研究院

                                                                                                                                               2016.12.28

 


Copyright © 2016-2017 电子科技大学科学技术发展研究院 技术支持 微微校